KINGMAX 2GB DDRAM II Bus 800 sự lựa chọn cho trải nghiệm ban đầu

Chuyển tới nội dung chính trong bài[xem]
Nếu là lần đầu tiên bạn tự đi tìm kiếm cho mình một chiếc RAM thì cũng chúng tôi học hỏi cách lựa chọn và tìm kiếm như thế nào để có được bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên .

RAM có những đặc tính : thời gian thực hiện tao tác đọc hoặc ghi đối với mỗi ô nhớ là như nhau, cho dù đang ở bất kỳ vị trí nào trong bộ nhớ. Mỗi ô nhớ của RAM đều có một địa chỉ , thông thường mỗi ô nhớ là một byte( 8 bít) tuy nhiên hệ thống lại có thể đọc ra hay ghi vào nhiều byte (2,4,8 byte) . RAM khác biệt với các thiết bị bộ nhớ tuần tự (sequential memory device) chẳng hạn như các băng từ, đĩa; mà các loại thiết bị này bắt buộc máy tính phải di chuyển cơ học một cách tuần tự để truy cập dữ liệu.

RAM Kingmax, DDR2, 2GB, Bus 800

RAM Kingmax, DDR2, 2GB, Bus 800

Bởi vì các chip RAM có thể đọc hay ghi dữ liệu nên thuật ngữ RAM cũng được hiểu như là một bộ nhớ đọc-ghi (read/write memory), trái ngược với bộ nhớ chỉ đọc ROM (read-only memory).RAM thông thường được sử dụng cho bộ nhớ chính (main memory) trong máy tính để lưu trữ các thông tin thay đổi, và các thông tin được sử dụng hiện hành. Cũng có những thiết bị sử dụng một vài loại RAM như là một thiết bị lưu trữ thứ cấp (secondary storage).

Thông tin lưu trên RAM chỉ là tạm thời, chúng sẽ mất đi khi mất nguồn điện cung cấp Bộ nhớ RAM có 4 đặc trưng sau:Dung lượng bộ nhớ: Tổng số byte của bộ nhớ (nếu tính theo byte) hoặc là tổng số bit trong bộ nhớ nếu tính theo bit.Tổ chức bộ nhớ: Số ô nhớ và số bit cho mỗi ô nhớ.Thời gian thâm nhập: Thời gian từ lúc đưa ra địa chỉ của ô nhớ đến lúc đọc được nội dung của ô nhớ đó.

Chu kỳ bộ nhớ: Thời gian giữa hai lần liên tiếp thâm nhập bộ nhớ.RAM được phân chia theo loại : RAM tĩnh, RAM động trong RAM tĩnh được chế tạo công nghệ ECL (dùng trong CMOS và BiCMOS). Mỗi bit nhớ gồm có các cổng logic với 6 transistor MOS. SRAM là bộ nhớ nhanh, việc đọc không làm hủy nội dung của ô nhớ và thời gian thâm nhập bằng chu kỳ của bộ nhớ.nhưng sram là một nơi lưu trữ các tập tin của CMOS dùng cho việc khởi động máy ; RAM động dùng kỹ thuật MOS. Mỗi bit nhớ gồm một transistor và một tụ điện. Việc ghi nhớ dữ liệu dựa vào việc duy trì điện tích nạp vào tụ điện và như vậy việc đọc một bit nhớ làm nội dung bit này bị hủy. Do vậy sau mỗi lần đọc một ô nhớ, bộ phận điều khiển bộ nhớ phải viết lại nội dung ô nhớ đó. Chu kỳ bộ nhớ cũng theo đó mà ít nhất là gấp đôi thời gian thâm nhập ô nhớ.

Việc lưu giữ thông tin trong bit nhớ chỉ là tạm thời vì tụ điện sẽ phóng hết điện tích đã nạp và như vậy phải làm tươi bộ nhớ sau khoảng thời gian 2μs. Việc làm tươi được thực hiện với tất cả các ô nhớ trong bộ nhớ. Công việc này được thực hiện tự động bởi một vi mạch bộ nhớ.Bộ nhớ DRAM chậm nhưng rẻ tiền hơn SRAM.Các loại DRAM SDRAM (Viết tắt từ Synchronous Dynamic RAM) được gọi là DRAM đồng bộ. SDRAM gồm 3 phân loại: SDR, DDR, DDR2 va DDR3.SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM), thường được giới chuyên môn gọi tắt là “SDR”. Có 168 chân. Được dùng trong các máy vi tính cũ, bus speed chạy cùng vận tốc với clock speed của memory chip, nay đã lỗi thời.

* DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM), thường được giới chuyên môn gọi tắt là “DDR”. Có 184 chân. DDR SDRAM là cải tiến của bộ nhớ SDR với tốc độ truyền tải gấp đôi SDR nhờ vào việc truyền tải hai lần trong một chu kỳ bộ nhớ. Đã được thay thế bởi DDR2.

* DDR2 SDRAM (Double Data Rate 2 SDRAM), Thường được giới chuyên môn gọi tắt là “DDR2”. Là thế hệ thứ hai của DDR với 240 chân, lợi thế lớn nhất của nó so với DDR là có bus speed cao gấp đôi clock speed.

RDRAM (Viết tắt từ Rambus Dynamic RAM), thường được giới chuyên môn gọi tắt là “Rambus”. Đây là một loại DRAM được thiết kế kỹ thuật hoàn toàn mới so với kỹ thuật SDRAM. RDRAM hoạt động đồng bộ theo một hệ thống lặp và truyền dữ liệu theo một hướng. Một kênh bộ nhớ RDRAM có thể hỗ trợ đến 32 chip DRAM. Mỗi chip được ghép nối tuần tự trên một module gọi là RIMM (Rambus Inline Memory Module) nhưng việc truyền dữ liệu được thực hiện giữa các mạch điều khiển và từng chip riêng biệt chứ không truyền giữa các chip với nhau. Bus bộ nhớ RDRAM là đường dẫn liên tục đi qua các chip và module trên bus, mỗi module có các chân vào và ra trên các đầu đối diện. Do đó, nếu các khe cắm không chứa RIMM sẽ phải gắn một module liên tục để đảm bảo đường truyền được nối liền. Tốc độ Rambus đạt từ 400-800 MHz. Rambus tuy không nhanh hơn SDRAM là bao nhưng lại đắt hơn rất nhiều nên có rất ít người dùng. RDRAM phải cắm thành cặp và ở những khe trống phải cắm những thanh RAM giả (còn gọi là C-RIMM) cho đủ.

* DDR III SDRAM (Double Data Rate III Synchronous Dynamic RAM): có tốc độ bus 800/1066/1333/1600 Mhz, số bit dữ liệu là 64, điện thế là 1.5v, tổng số pin là 240. Giới thiệu sản phẩm KINGMAX 2GB DDRAM II Bus 800 được sản xuất bởi hãng Kingmax thuộc chủng loại DDRAM2 với dung lượng 2GB Bus 800 băng thông PC2 6400 vừa đủ cho những thử nghiệm mới với giá thành không hề cao.

TIN TỨC LIÊN QUAN

Đánh giá laptop gaming Lenovo LOQ 15ARP9 83JC007HVN

Đánh giá laptop gaming Lenovo LOQ 15ARP9 83JC007HVN

Với mức giá phải chăng, Lenovo LOQ 15ARP9 83JC007HVN nhắm đến đối tượng game thủ và người dùng đam mê giải trí, mong muốn trải nghiệm những tựa game mới nhất với đồ họa mượt mà và hiệu suất ổn định.

Tin tức về Máy tính - Laptop

ASUS ProArt P16 H7606: Chiếc laptop quyền năng cho dân sáng tạo!

ASUS ProArt P16 H7606: Chiếc laptop quyền năng cho dân sáng tạo!

Các nhà sáng tạo nội dung chuyên nghiệp thường có xu hướng chọn mua laptop gaming do các thông số kỹ thuật mạnh mẽ của chúng, nhưng ASSU ProArt P16 H7606 thì lại khác. Dù cũng có yếu tố phần cứng mạnh nhẽ, nhưng sự mỏng gọn của nó mang đến sức hấp dẫn nhiều hơn là cỗ máy cồng kềnh.
Đánh giá laptop Samsung Galaxy Book 4 Ultra: Sang trọng, bền bỉ!

Đánh giá laptop Samsung Galaxy Book 4 Ultra: Sang trọng, bền bỉ!

Với tham vọng lật đổ vị trí độc tôn của MacBook Pro, Samsung đã trang bị cho chiếc Galaxy Book 4 Ultra này những công nghệ tiên tiến nhất, từ sức mạnh xử lý ấn tượng đến màn hình chất lượng cao. Liệu Samsung Galaxy Book 4 Ultra có thực sự là “sát thủ” của MacBook Pro hay chỉ là một đối thủ đáng gờm?
Đánh giá laptop gaming Gigabyte G6X 9KG (2024): Hiệu suất tốt, pin yếu!

Đánh giá laptop gaming Gigabyte G6X 9KG (2024): Hiệu suất tốt, pin yếu!

Gigabyte G6X 9KG là một trong những mẫu laptop gaming mới nhất được Gigabyte tùn ra trong năm 2024, hướng đến phân khúc tầm trung với nhiều tính năng hấp dẫn. Sở hữu CPU mạnh mẽ dòng HX thế hệ thứ 13, card rời RTX 4060 cùng màn hình tần số quét cao, chiếc laptop này là một lựa chọn đáng cân nhắc.
Đánh giá laptop 14 inch Dell Latitude 3440 (L3440-i71355U-08512GW)

Đánh giá laptop 14 inch Dell Latitude 3440 (L3440-i71355U-08512GW)

Dell Latitude 3440 (L3440-i71355U-08512GW) là giải pháp gọn gàng, linh hoạt cho công việc văn phòng. Tuy thời lượng pin không quá lý tưởng, nhưng sự linh hoạt của thiết kế và cấu hình tốt vẫn biến nó trở thành người đồng hành lý tưởng cho công việc.
Đánh giá laptop gaming Lenovo LOQ 15ARP9 83JC007HVN

Đánh giá laptop gaming Lenovo LOQ 15ARP9 83JC007HVN

Với mức giá phải chăng, Lenovo LOQ 15ARP9 83JC007HVN nhắm đến đối tượng game thủ và người dùng đam mê giải trí, mong muốn trải nghiệm những tựa game mới nhất với đồ họa mượt mà và hiệu suất ổn định.
Mac mini M4 2024: Nhỏ hơn, nhưng mạnh mẽ hơn!

Mac mini M4 2024: Nhỏ hơn, nhưng mạnh mẽ hơn!

Với thiết kế nhỏ gọn mới cùng sức mạnh đến từ chip M4 và M4 Pro, Mac mini M4 2024 hứa hẹn mang đến trải nghiệm máy tính cá nhân mạnh mẽ chưa từng cso trong một thiết kế nhỏ gọn.
Macbook Pro M4 2024: Chip M4 Pro, M4 Max, màn hình Nano-texture và RAM 128GB!

Macbook Pro M4 2024: Chip M4 Pro, M4 Max, màn hình Nano-texture và RAM 128GB!

Sau iMac M4 và Mac mini M4, cuối cùng thì Apple cũng chính thức trình làng Macbook Pro 2024 thế hệ M4 mới với hai tùy chọn mở rộng mà M4 Pro và M4 Max. Dù không thay đổi nhiều về hình thức, nhưng nội tại bên trong của dòng Macbook Pro mới cũng mang đến sức hút rất lớn với các tín đồ Apple.